宽禁带半导体的优点

查看全部 · 发表于 2021-11-16 11:07:04

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宽禁带半导体材料典型代表有碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，这些半导体材料也称为第三代半导体材料。与以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体相比，宽禁带半导体的优点更加的突出。

宽禁带半导体主要具有以下四种优点：

1.宽禁带半导体材料具有较大的禁带宽度以及很高的击穿电场强度，使得宽禁带器件能够承受的峰值电压大幅度提高，器件的输出功率可获得大规模提升；

2.宽禁带材料具有高热导率、高化学稳定性等优点，使得功率器件可以在更加恶劣的环境下工作，可极大提高系统的稳定性与可靠性；

3.宽禁带材料抗辐射能力非常好，在辐射环境下，宽禁带器件对辐射的稳定性比Si器件高10至100倍，因此是制作耐高温、抗辐射的大功率微波功率器件的优良材料；

4.宽禁带半导体器件的结温高，故在冷却条件较差、热设计保障较差的环境下也能够稳定工作。

据我所知，这些品牌的产品大多数具有以上优点，比如：AVAGO、 IDT、TI、AD、INTERSIL、REI、QP、Q-TECH、MSC、IR 等。笔者入行不久，还在循序渐进的学习中，欢迎大家评论区探讨呢。

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